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單晶和多晶矽片壽命測量儀(MDPmap)
MDPmap-1MDPmap單晶和多晶矽片壽命測量儀
產品分類
MDPmap:
單晶和多晶矽片壽命測量設備用於複雜的材料研究和開發。
特點:
◇ 靈敏度:高的靈敏度,用於可視化迄今為止不可見的缺陷和調查外延層的情況
◇ 測量速度:6英寸矽片<5min,分辨率為1mm
◇ 壽命範圍:20ns到幾十ms
◇ 汙染測定:源於坩堝和設備的金屬(鐵)汙染
◇ 測量能力:從切割好的矽片到加工的樣品
◇ 靈活性:固定的測量頭可以與外部激光器連接並觸發
◇ 可靠性:模塊化和緊湊型台式儀器,可靠性更高,正常運行時間>99%
◇ 重複性:> 99%
◇ 電阻率:電阻率測繪,無需頻繁校準
技術規格:
樣品尺寸 | 直徑達300mm(標準台),直徑達450mm(定製),*小為5 x 5mm |
壽命測量範圍 | 20ns至幾十ms以上 |
電阻率 | 0.2 - >10³Ω·cm,p-型/n-型 |
樣品材料 | 矽片、外延層、部分或加工的矽片、化合物半導體及更多材料 |
可測量的特性 | 壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導率 |
激發波長 | 選擇從355nm到1480nm的*多四個不同波長。980nm(默認) |
尺寸規格 | 體積:680 x 380 x 450毫米;重量:約65公斤 |
電源 | 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A |
MDPmap單晶和多晶矽片壽命測量儀 - 細節:
◇ 用於研發或生產監控的靈活測繪工具◇ MDPmap被設計成一個緊湊的台式非接觸電學表征工具,用於離線生產控製或研發,在穩態或短脈衝激勵(μ-PCD)下,在一個寬的注入範圍內測量參數,如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數設置允許輕鬆適應各種不同的樣品,包括外延層和經過不同製備階段的晶圓,從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。
◇ MDPmap的主要優點是它的高度靈活性,例如,它允許集成多達四個激光器,用於測量從較低到高的注入水平的壽命,或通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設施,以及μ-PCD或穩態注入條件的選項。可以用不同的地圖進行客戶定義的計算,也可以輸出主要數據進行進一步評估。對於標準的計量任務,預定義的標準隻需按下一個按鈕就能進行常規測量。
附加選項:
◇ 光斑大小的變化
◇ 電阻率測量(晶圓)
◇ 方塊電阻
◇ 背景/偏光
◇ 反射測量(MDP)
◇ 太陽能電池的LBIC(擴散長度測量)
◇ 偏壓MDP
◇ 參考晶圓
◇ 矽的內部/外部鐵製圖
◇ 集成加熱台
◇ 靈活的激光器配置
MDPmap單晶和多晶矽片壽命測量儀 - 測量案例:
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鈍化多晶矽的壽命圖 | 多晶矽的鐵汙染圖 |
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單晶矽的硼氧圖 | 單晶矽的缺陷密度圖 |
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碳化矽外延片(>10μm)-少數載流子壽命mapping圖(平均壽命τ=0.36μs) | |
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高阻矽片(>10000Ω·cm)-少數載流子壽命mapping圖 | |
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非鈍化矽外延片(20μm)-少數載流子壽命mapping圖 |
MDPmap 應用:
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